據(jù)DIGITIMES消息,，由于DRAM價(jià)格正因需求疲軟而下跌,， DRAM三大制造商三星電子、SK海力士和美光有意把生產(chǎn)資源集中在DDR5與高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）,，因而將在2025年內(nèi)停產(chǎn)DDR3和DDR4,。一旦相關(guān)產(chǎn)品停產(chǎn)，市場(chǎng)預(yù)期其它DRAM廠商將有望出現(xiàn)轉(zhuǎn)單效益,，且最快在今年夏季后扭轉(zhuǎn)DRAM市場(chǎng)供過于求的困境,，出現(xiàn)供不應(yīng)求的狀況。DRAM價(jià)格已連續(xù)五個(gè)月下跌,。2025年1月份指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)（大宗交易價(jià)格）為每個(gè)1.75美元左右,，容量較小的4Gb產(chǎn)品價(jià)格為每個(gè)1.34美元左右，皆較前一個(gè)月份下跌6%,，皆為連續(xù)第五個(gè)月下跌,。其中8Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年10個(gè)月來（2023年3月以來）最大跌幅、4Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年9個(gè)月來（2023年4月以來）最大跌幅,。據(jù)Omdia預(yù)測(cè),，DRAM價(jià)格下跌趨勢(shì)將持續(xù)到2025年下半年，預(yù)計(jì)包括DDR4,、DDR5產(chǎn)品價(jià)格都呈現(xiàn)下跌,。其中，PC,、服務(wù)器及行動(dòng)DRAM的價(jià)格,，預(yù)期持續(xù)下跌至2025年第三季，2025年上半年將下跌近10%,，下半年則會(huì)繼續(xù)下跌約5%,。在此背景之下，頭部的DRAM大廠都或?qū)p產(chǎn)DRAM,。其實(shí)2024年以來,，全球內(nèi)存市場(chǎng)已進(jìn)入技術(shù)換代周期，存儲(chǔ)大廠的生產(chǎn)重心逐漸轉(zhuǎn)向DDR5與HBM（高帶寬內(nèi)存）,。其中三星于2024年第二季停產(chǎn)DDR3,，并持續(xù)減少DDR4產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向DDR5與LPDDR5等高階產(chǎn)品,。SK海力士于2023年年底停止供貨DDR3,，并于2024年第三季度將DDR4的生產(chǎn)比重降至30%,，第四季度更降至20%。如果三大廠三星電子,、SK海力士,、美光停止生產(chǎn)DDR4，DDR4的供應(yīng)將大幅減少,，而市場(chǎng)上DDR4產(chǎn)品的存量會(huì)逐漸消耗,，可能在夏季后出現(xiàn)短缺，進(jìn)而推動(dòng)價(jià)格回升,。值得注意的是,，三大原廠放棄DDR3/DDR4，臺(tái)系供應(yīng)商南亞科技,、華邦電子可能承接轉(zhuǎn)單,。南亞科技預(yù)計(jì)市場(chǎng)在2025年上半年將會(huì)觸底，而需求的回升可能在第二季度就會(huì)有所顯現(xiàn),。而華邦電子積極從DDR3產(chǎn)品轉(zhuǎn)型到DDR4,，且預(yù)計(jì)下半年DDR4產(chǎn)品將會(huì)大量出貨，以此提升業(yè)績(jī),。DDR3于2007 年首次推出,，相較前代產(chǎn)品，DDR3內(nèi)存模組在傳輸速率方面實(shí)現(xiàn)了大幅提升,，從而顯著加快了數(shù)據(jù)的讀取和寫入速度,，有效滿足了多任務(wù)處理和大規(guī)模數(shù)據(jù)運(yùn)算的需求。目前DDR3已成為利基產(chǎn)品,，用于價(jià)格較低,、不太復(fù)雜的嵌入式應(yīng)用，包括 Wi-Fi 路由器和交換機(jī),。DDR4內(nèi)存的時(shí)鐘頻率起點(diǎn)更高,，常見頻率從2133MHz起跳，部分高端產(chǎn)品可達(dá)4000MHz甚至更高 ,，理論數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達(dá)到34.1GB/s,，在實(shí)際的電腦使用場(chǎng)景中，DDR4內(nèi)存的高傳輸速率可有效縮短軟件啟動(dòng)時(shí)間,。DDR4 內(nèi)存單條容量可以達(dá)到 16GB 甚至 32GB,，在服務(wù)器和工作站領(lǐng)域，DDR4 內(nèi)存的高容量支持特性使得可以構(gòu)建超大規(guī)模的內(nèi)存系統(tǒng),。

隨著上游原廠減產(chǎn)效果漸顯，存儲(chǔ)芯片部分規(guī)格開始有小幅漲價(jià)的趨勢(shì),。新規(guī)格DDR5價(jià)格反彈據(jù)Businesskorea報(bào)道,，最新DRAM規(guī)格DDR5開始出現(xiàn)價(jià)格反彈。市場(chǎng)研究公司DRAM Exchange 8月31日統(tǒng)計(jì),，最新的DRAM規(guī)格DDR5,，16Gb(2Gx8)固定成交價(jià)平均為3.40美元，較上月3.17美元的價(jià)格上漲7.26%,。據(jù)分析，由于供應(yīng)商在價(jià)格談判中態(tài)度強(qiáng)硬,，需求方企業(yè)也接受了小幅提價(jià),。TrendForce進(jìn)一步表示，“需求方因預(yù)期價(jià)格反彈,，正在增加DDR5產(chǎn)品的庫(kù)存,。” 他們預(yù)計(jì),，“第四季度DRAM固定交易價(jià)格將保持穩(wěn)定,，但DDR5可能會(huì)小幅上漲，最高可達(dá)5%,?！比障低赓Y也出具最新報(bào)告指出，由于DRAM 價(jià)格和出口量成長(zhǎng),，預(yù)期第三季半導(dǎo)體出口將季增逾 10%,。繼第二季出貨量強(qiáng)勁成長(zhǎng)后，第三季主要內(nèi)存價(jià)格已趨穩(wěn)定或上升,，價(jià)格較高的 HBM,、DDR5 和 LPDDR5X 組合增加，平均售價(jià)（ASP）可能會(huì)成長(zhǎng) 5-10%,；不過,，除DDR5以外，8月份內(nèi)存半導(dǎo)體DRAM的固定交易價(jià)格仍繼續(xù)下跌,。其中,，通用PC DRAM DDR4 8Gb（1Gx8 2133MHz）固定交易價(jià)格平均為1.30美元，與上個(gè)月1.34美元的價(jià)格相比,，下降了2.99%,。日系外資的報(bào)告也提到,，需求疲軟的 DDR4領(lǐng)域，第四季可能擴(kuò)大減產(chǎn),，年底庫(kù)存有機(jī)會(huì)降至正常水平,。NAND現(xiàn)貨價(jià)單月漲幅約達(dá)5%據(jù)臺(tái)媒電子時(shí)報(bào)報(bào)道，近1個(gè)月來,，NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)小幅調(diào)升,，單月漲幅約達(dá)5%，逐漸靠攏合約價(jià),。有消息人士透露,，8月份NAND閃存晶圓現(xiàn)貨價(jià)格大幅上漲。雖然6月和7月512GB NAND閃存晶圓價(jià)格穩(wěn)定在1.40美元至1.41美元之間,，購(gòu)買情緒依然低迷,。但價(jià)格從7月底、8月初開始上漲,，到8月底達(dá)到1.50-1.52美元,。據(jù)TrendForce集邦咨詢了解，主要起因于8月下旬NAND Flash原廠進(jìn)一步與部分指標(biāo)模組廠議定新一筆Wafer訂單,，并成功拉抬512Gb wafer合約價(jià),，其他原廠亦跟進(jìn)將同級(jí)產(chǎn)品價(jià)格提升，顯現(xiàn)原廠不愿再低價(jià)成交,，從而帶動(dòng)Wafer現(xiàn)貨市場(chǎng)近期出現(xiàn)短期漲勢(shì),。不過在上游供給獲得控制下，近期下游市況需求也有小幅回溫,，主要是美國(guó)市場(chǎng)包括PC/手機(jī)市場(chǎng),，并帶動(dòng)廠商營(yíng)收。以Nand flash模塊廠商群聯(lián)為例,，下游客戶看好價(jià)格已在谷底盤旋以久,，擔(dān)心價(jià)格上漲，也開始重啟備貨,，也開始接受漲價(jià),，法人估，群聯(lián)8月營(yíng)收即會(huì)先往上揚(yáng),，第四季還會(huì)再向上,。集邦科技也認(rèn)為，Nand flash原廠已凝聚出共識(shí),，相繼調(diào)漲wafer報(bào)價(jià),，買方預(yù)期市場(chǎng)低價(jià)貨源將隨之減少，因此在現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)囤貨需求,。不過,，該機(jī)構(gòu)也提醒,，由于相關(guān)采購(gòu)訂單是基于供應(yīng)端報(bào)價(jià)調(diào)漲而涌現(xiàn)，是否有實(shí)際終端訂單支撐仍待觀察,。

生成式AI技術(shù)基于大量的大型語言模型(LLM)訓(xùn)練來實(shí)現(xiàn)，對(duì)算力的需求巨大,。分析師認(rèn)為,，隨著生成式AI進(jìn)入快速爆發(fā)期，推動(dòng)高算力服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施需求提升,，DRAM使用量將大幅增加,，成為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)重要的新成長(zhǎng)動(dòng)能。據(jù)《Barron’s》報(bào)導(dǎo),，在AI熱潮下,，今年以來，AI芯片之王英偉達(dá)股價(jià)飆漲178%,。花旗分析師Peter Lee 6月26日發(fā)表研究報(bào)告提到,，搭載Nvidia DGX100 GPU的AI服務(wù)器,，所用的內(nèi)存數(shù)量，至少是傳統(tǒng)服務(wù)器的六倍,。Lee估計(jì),，以此計(jì)算，2023年AI相關(guān)內(nèi)存將占全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的16%,，2024年激增至31%,，2025年成長(zhǎng)至41%，2027年進(jìn)一步增至56%,。Lee重申給予三星電子,、SK海力士「買進(jìn)」評(píng)級(jí)。美國(guó)唯一DRAM廠商美光也可望受益,。該公司定于28日盤后發(fā)布財(cái)報(bào),，可能反映目前內(nèi)存需求疲軟的狀況，原因是全球個(gè)人計(jì)算機(jī)銷量急劇下滑,，客戶面臨去庫(kù)存壓力,，對(duì)美光接單造成影響。華爾街分析師平均預(yù)計(jì),，2023會(huì)計(jì)年度第三季(截至2023年5月),，美光營(yíng)收將年減58%,。不過，如果美光經(jīng)營(yíng)層透露任何有關(guān)AI需求的好消息,，有望提振股價(jià)表現(xiàn),。

摩根士丹利（大摩）證券稱，由于需求疲軟,，將導(dǎo)致下半年存儲(chǔ)器價(jià)格更快速下滑,，DRAM、NOR Flash,、NAND Flash等三大存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況都無法幸免于難,，其指出南亞、華邦,、旺宏,、力積電、群聯(lián)等臺(tái)廠承壓,。大摩最新發(fā)布的報(bào)告指出,，由于需求疲軟，加上廠商與客戶端的高庫(kù)存水位,，存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈正面臨巨大的庫(kù)存去化壓力,，造成下半年價(jià)格將進(jìn)一步跌價(jià)，且嚴(yán)重程度將大于市場(chǎng)預(yù)期,。大摩指出,，多頭陣營(yíng)可能認(rèn)為，海力士與三星已停止生產(chǎn)1Gb及2Gb存儲(chǔ)器,，并且降低DDR3的生產(chǎn),。不過，由于CMOS影像感測(cè)器（CIS）的市場(chǎng)展望趨于疲弱,，三星正在將CIS的產(chǎn)能用來生產(chǎn)DDR3,，使利基型DRAM供給更加惡化。長(zhǎng)期來說,，海力士及三星不會(huì)放棄消費(fèi)性DRAM市場(chǎng),，而是移轉(zhuǎn)到DDR4以放眼4Gb產(chǎn)品。此外,，就各存儲(chǔ)器的價(jià)格趨勢(shì)來看,，利基型DRAM現(xiàn)貨價(jià)預(yù)期將大幅下滑，第3季預(yù)估比第2季下跌13%至18%,，第4季再比第3季下滑10%至15%,。科技市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦（TrendForce）認(rèn)為，消費(fèi)性DRAM價(jià)格修正程度將大于預(yù)期,。NAND芯片／固態(tài)硬碟（SSD）價(jià)格則更弱,，第3季預(yù)期比第2季下跌13%至18%，第4季預(yù)期比第3季再跌15%至20%,。大摩指出,，個(gè)人電腦及智能手機(jī)需求持續(xù)弱勢(shì)，終端客戶面臨調(diào)降庫(kù)存的壓力,。

據(jù)TrendForce調(diào)查DRAM市況,，韓系原廠在產(chǎn)出不斷增加的壓力下，為刺激供應(yīng)商與客戶拉貨,，讓價(jià)意愿明顯提高,，促使價(jià)格跌幅持續(xù)擴(kuò)大。除了韓系廠積極讓價(jià),，來自現(xiàn)貨的低價(jià)顆粒亦在市場(chǎng)流通,，其他供應(yīng)商不得不跟進(jìn)，積極降價(jià)求售,，使得第三季consumer DRAM價(jià)格跌幅從原先預(yù)估的季跌8~13%,，快速擴(kuò)大至季跌13~18%。展望第四季,，在終端庫(kù)存尚未完全去化以前,，拉貨動(dòng)能難以回溫。TrendForce認(rèn)為,，供過于求的市況尚未獲得改善以前,，預(yù)期consumer DRAM價(jià)格將持續(xù)下探，使得第四季consumer DRAM價(jià)格持續(xù)走跌,，跌幅約3~8%，且不排除跌幅將有擴(kuò)大的可能性,。DDR3先前漲多,，后續(xù)補(bǔ)跌空間大；DDR4在韓系廠策略轉(zhuǎn)進(jìn)下也將維持下跌走勢(shì),。以DDR3而言,，去年在韓系廠積極的定價(jià)策略之下，價(jià)格處于高水位,；以DDR3 4Gb為例,，與過去最低價(jià)格相比約有六成的漲幅。觀察終端的應(yīng)用,，客戶在新案選擇導(dǎo)入DDR4,，除了成本的考量外，臺(tái)系廠的DDR3顆粒尺寸也是一重要因素,，顆粒放大將壓縮到其他零組件的陳列空間,?；谝陨峡剂浚蛻艮D(zhuǎn)進(jìn)DDR4的進(jìn)度比預(yù)期樂觀,，因此在DDR3市場(chǎng)規(guī)模明顯收斂的情況下,，展望未來補(bǔ)跌空間大。而DDR4目前的價(jià)格雖處于相對(duì)低點(diǎn),，但其制程較DDR3先進(jìn),，且三大原廠仍有持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)新制程的規(guī)劃，成本將有效收斂,，故預(yù)期價(jià)格走勢(shì)仍將持續(xù)走跌,。原標(biāo)題《消費(fèi)性DRAM Q3跌勢(shì)擴(kuò)大、Q4續(xù)下行》

據(jù)TrendForce最新研究顯示,，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì),，并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象,，使得庫(kù)存壓力逐漸由買方轉(zhuǎn)嫁至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,，部分DRAM供應(yīng)商已開始有較明確的降價(jià)意圖,，尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的伺服器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3~8%,，擴(kuò)大至近10%,。若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成,。PC OEM仍處于連續(xù)性下調(diào)出貨展望,，且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格誘因,，否則沒有急迫購(gòu)貨需求,。同時(shí)，受惠于1Z/1alpha先進(jìn)制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),，第三季持續(xù)呈現(xiàn)供給季增,，且DDR5因售價(jià)高昂導(dǎo)致滲透率受限，無法有效收斂DDR4產(chǎn)出,，PC DRAM第三季價(jià)格跌幅將調(diào)整為5~10%,。目前客戶手中的server DRAM庫(kù)存約7~8周，買方借著賣方背負(fù)增高的庫(kù)存壓力，認(rèn)為DRAM價(jià)格仍有下探空間,，若原廠愿意提供具吸引力報(bào)價(jià),，則愿意討論綁量議定的可能性。伴隨先進(jìn)制程積極轉(zhuǎn)進(jìn),，消費(fèi)終端持續(xù)疲弱下,，server DRAM成了唯一有效的銷售出海口,。因此韓廠率先釋出5%以上季跌幅討論意愿,，使第三季server DRAM跌幅擴(kuò)大至5~10%。受大環(huán)境經(jīng)濟(jì)不振沖擊,，智能手機(jī)的生產(chǎn)目標(biāo)持續(xù)下修,，品牌廠對(duì)后勢(shì)展望也較悲觀，故備料態(tài)度消極,。但由于各原廠先進(jìn)制程轉(zhuǎn)進(jìn)挹注,，第三季mobile DRAM產(chǎn)出仍有增加，供應(yīng)商壓力也因此升高,。此將促使賣方讓價(jià)意愿提升,，在供需差異兩極化的情形下，預(yù)測(cè)本季mobile DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大至8~13%,。受到通膨降低消費(fèi)性產(chǎn)品需求及加密貨幣萎靡不振的影響,，弱化graphics DRAM采購(gòu)需求。同時(shí),，graphics DRAM產(chǎn)能不若標(biāo)準(zhǔn)型DRAM(Commodity DRAM)較容易切換,，雖然需求已弱化，供應(yīng)商卻也難以快速調(diào)整產(chǎn)出,，因此同樣面臨逐漸堆高的庫(kù)存壓力,，第三季graphics DRAM價(jià)格將修正為季跌3~8%。由于電視出貨已率先下跌,，而通信,、工控等相關(guān)需求也出現(xiàn)走弱跡象。其中DDR3的價(jià)格目前在相對(duì)高點(diǎn),，未來價(jià)格補(bǔ)跌空間較大；DDR4相關(guān)應(yīng)用拉貨動(dòng)能疲弱,，亦不排除跌幅擴(kuò)大的可能性,。除了先進(jìn)制程轉(zhuǎn)進(jìn)使得產(chǎn)出擴(kuò)大，下半年仍有中國(guó)廠新增產(chǎn)能開出,，預(yù)估本季消費(fèi)類 DRAM價(jià)格跌幅將加深至8~13%,。

滿天芯消息，自2017年起始,，以晉華,、聯(lián)電、美光為主角的“震驚業(yè)界”的福建晉華案有了最新動(dòng)態(tài),。10月22日一早,，主角之一的晶圓代工大廠聯(lián)電發(fā)出重大信息公告，公告表示,，針對(duì)聯(lián)電之前被指控協(xié)助福建晉華以竊取美光科技（Micron）DRAM生產(chǎn)技術(shù)一案,，聯(lián)電已向美國(guó)商務(wù)部提出此案的建議量刑信函，根據(jù)雙方磋商,，期待以6000萬美元進(jìn)行和解,，目前該方案尚待法院核準(zhǔn)。對(duì)于聯(lián)電的處罰,，業(yè)界曾傳出可能最高可能面臨200億美元的罰金,。如今降低到目前的6000萬美元。對(duì)于這個(gè)數(shù)字,，行業(yè)人士表示,，根據(jù)過往類似的案件來看，基本上沒有太大的差別,。而且晉華當(dāng)時(shí)并沒有生產(chǎn)該項(xiàng)產(chǎn)品,，也就不存在損害金額的賠償，整個(gè)結(jié)果也算是符合業(yè)績(jī)的期待,。據(jù)滿天芯向行業(yè)內(nèi)部人士了解,，該案件雙方已基本談妥，只需要法院方面走個(gè)過場(chǎng)就行,，可以說已經(jīng)塵埃落定,。福建晉華整體事件回顧：2016年，福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)定,，福建晉華委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)技術(shù),，開發(fā)出的技術(shù)成果由雙方共同所有。 2017年9月,，美光指控其前雇員跳槽至聯(lián)電前竊取了美光的DRAM商業(yè)秘密,，并且這些機(jī)密已經(jīng)泄露給聯(lián)電用以進(jìn)行32nm DRAM芯片的開發(fā)。2017年12月,，美光又在美國(guó)加州聯(lián)邦法院對(duì)福建晉華和聯(lián)電提出控訴,，稱聯(lián)電將其被竊取的商業(yè)機(jī)密和存儲(chǔ)芯片的關(guān)鍵技術(shù)交付給了福建晉華,。 2018年1月19日，福建晉華展開“反擊”,，在福州市中級(jí)人民法院對(duì)美光在華銷售產(chǎn)品涉嫌侵權(quán)提出訴狀,。2018年7月3日，福州市中級(jí)人民法院裁定美光半導(dǎo)體銷售（上海）有限公司立即停止銷售,、進(jìn)口十余款Crucical英睿達(dá)固態(tài)硬盤,、內(nèi)存條及相關(guān)芯片，并刪除其網(wǎng)站中關(guān)于上述產(chǎn)品的宣傳廣告,、 購(gòu)買鏈接等信息,，同時(shí)裁定美光半導(dǎo)體（西安）有限責(zé)任公司立即停止制造、銷售,、進(jìn)口數(shù)款內(nèi)存產(chǎn)品,。 2018年10月30日，美國(guó)商務(wù)部宣布將福建晉華列入出口管制“實(shí)體清單”,，自當(dāng)?shù)貢r(shí)間30日起實(shí)施出口管制,。 2018年11月1日正式起訴福建晉華、聯(lián)電以及三名中國(guó)臺(tái)灣籍涉案人員陳正坤,、何建延和王永銘共謀竊取,、傳輸，以及持有美光的營(yíng)業(yè)秘密和經(jīng)濟(jì)間諜罪,。2019年1月底,，聯(lián)電退出福建晉華DRAM項(xiàng)目。 最終,，福建晉華的DRAM項(xiàng)目量產(chǎn)沒能成功,。

兆易創(chuàng)新昨日發(fā)布公告稱,，為優(yōu)化公司資產(chǎn)結(jié)構(gòu)，減少賬面金融資產(chǎn)比重,，公司境外全資子公司芯技佳易自2020年2月起陸續(xù)擇機(jī)出售所持中芯國(guó)際H股股票,。截至目前，芯技佳易已出售所持全部中芯國(guó)際H股股票,，總交易金額折合人民幣約7.76億元,。強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合兆易創(chuàng)新對(duì)中芯國(guó)際的投資始于2017年，當(dāng)年兆易創(chuàng)新旗下的全資子公司芯技佳易（香港）向工商銀行和境外分支機(jī)構(gòu)尋求了6000萬美元的銀行貸款,，期限為3年,。隨后在12月，芯技佳易以每股10.65港元價(jià)格認(rèn)購(gòu)中芯國(guó)際50,003,371股,，總成本約為5.3億港幣（約合4.4億人民幣）,。按照出售時(shí)總交易金額7.76億元人民幣計(jì)算，3年間兆易創(chuàng)新大概盈利3.3億人民幣左右,。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體代工龍頭,，兆易創(chuàng)新入股中芯國(guó)際的目的是借助后者的代工能力，擴(kuò)大自己在NOR市場(chǎng)的份額,。成為中芯國(guó)際的股東之后,，兆易創(chuàng)新獲得了中芯國(guó)際的力挺，全力搶進(jìn)NOR Flash生產(chǎn),，中芯承諾每月提供兆易創(chuàng)新2.5萬片產(chǎn)能,、占全球NOR供應(yīng)量近三成的規(guī)模，大舉拓展NOR Flash版圖,，當(dāng)年NOR正處于供不應(yīng)求的階段,，與中芯國(guó)際的合作大大增強(qiáng)了兆易創(chuàng)新的實(shí)力。2018年兆易創(chuàng)新營(yíng)收增長(zhǎng)108%,，NOR Flash產(chǎn)品,，累計(jì)出貨量已經(jīng)超過100億顆，2019年,，根據(jù)CINNO Research產(chǎn)業(yè)研究,，兆易創(chuàng)新NOR Flash全球市場(chǎng)份額在第二季度實(shí)現(xiàn)突破，成功超過美光,，上升至全球第四,，并且在第三季度超越賽普拉斯，排名第三,，前二名分別為臺(tái)灣的華邦電子和旺宏電子,。在中芯國(guó)際加持這三年時(shí)間，兆易創(chuàng)新凈利潤(rùn)平均年增59%,，2019年公司營(yíng)收32.03億元,，其中儲(chǔ)存芯片營(yíng)收25.56億元，占總營(yíng)收的79.8%,，微控制芯片營(yíng)收4.44億,，占總營(yíng)收的13.86%，傳感器營(yíng)收2.03億,，占總營(yíng)收的6.34%,。天花板NOR Flash雖好,，但市場(chǎng)很小。根據(jù) Bloomberg及WSTS數(shù)據(jù),， 2018 年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約1600億美元,，占半導(dǎo)體總市場(chǎng)規(guī)模的 34%。其中,，易失性存儲(chǔ)DRAM,、非易失性閃存NAND和Nor Flash分別占63%、35%和 2%,。換言之,，Nor Flash只占整個(gè)儲(chǔ)存市場(chǎng)的2%，2018年的市場(chǎng)規(guī)模也僅有32億美元,，市場(chǎng)規(guī)模最大的當(dāng)屬DRAM與NAND,。市場(chǎng)規(guī)模下，毛利率相對(duì)不高,，使得近年來,，不少儲(chǔ)存大廠紛紛退出或者減產(chǎn)NOR Flash業(yè)務(wù)。三星在2010年完全退出Nor Flash市場(chǎng),，將所有存儲(chǔ)產(chǎn)能集中于市場(chǎng)空間更大的Nand和DRAM存儲(chǔ)器,；Mircon在2016年取消了8英寸生產(chǎn)線，將全部8英寸和部分12英寸線產(chǎn)能轉(zhuǎn)移給Nand,；2017年,，Cypress出售在美國(guó)Bloomington的Nor Flash圓晶廠，同時(shí)與客戶的Nor Flash協(xié)議價(jià)格到期,，Cypress重新提高產(chǎn)品價(jià)格,；2019年，旺宏和華邦實(shí)際均減產(chǎn)5%~10%,，華邦未達(dá)成2017年預(yù)定的在2019年達(dá)產(chǎn)3萬片/月產(chǎn)能計(jì)劃,。作為全球第三的兆易創(chuàng)新自然也感覺到了天花板的壓力，所以近年來兆易創(chuàng)新開始轉(zhuǎn)向DRAM和NAND,。DRAM才是未來在儲(chǔ)存市場(chǎng),，DRAM無疑占據(jù)最大市場(chǎng)，規(guī)模達(dá)到整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模的63%,。2016年8月兆易創(chuàng)新上市,，一個(gè)月后停牌欲收購(gòu)北京矽成半導(dǎo)體，收購(gòu)價(jià)格為65億,，北京矽成的產(chǎn)品主要是DRAM和SRAM,，2016年上半年，北京矽成SRAM產(chǎn)品收入在全球SRAM市場(chǎng)中位居第二位,；DRAM產(chǎn)品收入在全球DRAM市場(chǎng)中位居第八位,，與三星,、海力士、美光,、華邦電子等國(guó)際廠商同處行業(yè)領(lǐng)先地位,，兆易創(chuàng)新收購(gòu)北京矽成無疑是想切入DRAM賽道。但是這場(chǎng)交易最終因?yàn)楣?yīng)商反對(duì)而未能成行,，直到2019年4月，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投,、合肥長(zhǎng)鑫簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》,，約定以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對(duì)項(xiàng)目投資3億元，探討在DRAM產(chǎn)品銷售,、代工,、以及工程端的多種合作模式。募資43.24億6月4日晚間,，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票發(fā)行結(jié)果暨股本變動(dòng)公告,，公布了定增結(jié)果，本次共有42家投資者參與報(bào)價(jià),，發(fā)行對(duì)象最終確定為5家,，包括新加坡政府投資有限公司（GIC）、葛衛(wèi)東,、畢永生,、博時(shí)基金、青島城投科技發(fā)展有限公司,，募資總額約為43.24億,。新加坡政府投資有限公司獲配978.5萬股，獲配金額19.94億元,，成為第九大股東,，持股比例2.17%；葛衛(wèi)東獲配736萬股,，獲配金額15億元,，持股比例將從3.06%提升至4.48%，躍升為兆易創(chuàng)新第五大股東,；畢永生,、博時(shí)基金、青島城投科技發(fā)展有限公司分別獲配274.81萬股,、71.16萬股,、61.34萬股，分別獲配金額5.6億元,、1.45億元,、1.25億元,。本次募資的用途有兩方面，一個(gè)為10億元補(bǔ)充流動(dòng)資金,，另一個(gè)為33.24億元全部用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,，該項(xiàng)目總投資39.92億元，不足部分由公司以自有資金或其他融資途徑解決,，清倉(cāng)中芯國(guó)際應(yīng)該算兆易創(chuàng)新募資方式之一,。總結(jié)最后,，再回到兆易創(chuàng)新減持中芯國(guó)際來看,，NOR Flash業(yè)務(wù)增長(zhǎng)空間有限，公司的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向DRAM,，結(jié)合近期的募資來看,，減持中芯國(guó)際套現(xiàn)所得很有可能用在DRAM的投資上。另一方面,，兆易創(chuàng)新的上游供應(yīng)商除了中芯國(guó)際之外,，還有武漢新芯、聯(lián)華電子,、華力微等,，并且在2019年兆易創(chuàng)新與臺(tái)積電達(dá)成戰(zhàn)略合作，綜合來看兆易創(chuàng)新此次減持是決心DRAM有所建樹,。