據(jù)DIGITIMES消息,，由于DRAM價格正因需求疲軟而下跌,， DRAM三大制造商三星電子、SK海力士和美光有意把生產(chǎn)資源集中在DDR5與高帶寬存儲器（HBM）,，因而將在2025年內(nèi)停產(chǎn)DDR3和DDR4,。一旦相關(guān)產(chǎn)品停產(chǎn)，市場預期其它DRAM廠商將有望出現(xiàn)轉(zhuǎn)單效益,，且最快在今年夏季后扭轉(zhuǎn)DRAM市場供過于求的困境,，出現(xiàn)供不應(yīng)求的狀況。DRAM價格已連續(xù)五個月下跌,。2025年1月份指標性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價（大宗交易價格）為每個1.75美元左右,，容量較小的4Gb產(chǎn)品價格為每個1.34美元左右，皆較前一個月份下跌6%,，皆為連續(xù)第五個月下跌。其中8Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年10個月來（2023年3月以來）最大跌幅,、4Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年9個月來（2023年4月以來）最大跌幅,。據(jù)Omdia預測，DRAM價格下跌趨勢將持續(xù)到2025年下半年，預計包括DDR4、DDR5產(chǎn)品價格都呈現(xiàn)下跌,。其中,，PC、服務(wù)器及行動DRAM的價格,，預期持續(xù)下跌至2025年第三季，2025年上半年將下跌近10%，下半年則會繼續(xù)下跌約5%,。在此背景之下，頭部的DRAM大廠都或?qū)p產(chǎn)DRAM。其實2024年以來,，全球內(nèi)存市場已進入技術(shù)換代周期,，存儲大廠的生產(chǎn)重心逐漸轉(zhuǎn)向DDR5與HBM（高帶寬內(nèi)存）。其中三星于2024年第二季停產(chǎn)DDR3,，并持續(xù)減少DDR4產(chǎn)能,，轉(zhuǎn)向DDR5與LPDDR5等高階產(chǎn)品。SK海力士于2023年年底停止供貨DDR3,，并于2024年第三季度將DDR4的生產(chǎn)比重降至30%,，第四季度更降至20%。如果三大廠三星電子,、SK海力士,、美光停止生產(chǎn)DDR4，DDR4的供應(yīng)將大幅減少,，而市場上DDR4產(chǎn)品的存量會逐漸消耗,，可能在夏季后出現(xiàn)短缺，進而推動價格回升,。值得注意的是,，三大原廠放棄DDR3/DDR4，臺系供應(yīng)商南亞科技,、華邦電子可能承接轉(zhuǎn)單,。南亞科技預計市場在2025年上半年將會觸底，而需求的回升可能在第二季度就會有所顯現(xiàn),。而華邦電子積極從DDR3產(chǎn)品轉(zhuǎn)型到DDR4,，且預計下半年DDR4產(chǎn)品將會大量出貨，以此提升業(yè)績,。DDR3于2007 年首次推出,，相較前代產(chǎn)品，DDR3內(nèi)存模組在傳輸速率方面實現(xiàn)了大幅提升,，從而顯著加快了數(shù)據(jù)的讀取和寫入速度,，有效滿足了多任務(wù)處理和大規(guī)模數(shù)據(jù)運算的需求。目前DDR3已成為利基產(chǎn)品,，用于價格較低,、不太復雜的嵌入式應(yīng)用，包括 Wi-Fi 路由器和交換機,。DDR4內(nèi)存的時鐘頻率起點更高,，常見頻率從2133MHz起跳，部分高端產(chǎn)品可達4000MHz甚至更高 ,，理論數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達到34.1GB/s,，在實際的電腦使用場景中,，DDR4內(nèi)存的高傳輸速率可有效縮短軟件啟動時間。DDR4 內(nèi)存單條容量可以達到 16GB 甚至 32GB,，在服務(wù)器和工作站領(lǐng)域,，DDR4 內(nèi)存的高容量支持特性使得可以構(gòu)建超大規(guī)模的內(nèi)存系統(tǒng)。

隨著上游原廠減產(chǎn)效果漸顯，存儲芯片部分規(guī)格開始有小幅漲價的趨勢,。新規(guī)格DDR5價格反彈據(jù)Businesskorea報道,，最新DRAM規(guī)格DDR5開始出現(xiàn)價格反彈。市場研究公司DRAM Exchange 8月31日統(tǒng)計,，最新的DRAM規(guī)格DDR5,，16Gb(2Gx8)固定成交價平均為3.40美元，較上月3.17美元的價格上漲7.26%,。據(jù)分析,，由于供應(yīng)商在價格談判中態(tài)度強硬，需求方企業(yè)也接受了小幅提價,。TrendForce進一步表示,，“需求方因預期價格反彈，正在增加DDR5產(chǎn)品的庫存,?！?他們預計，“第四季度DRAM固定交易價格將保持穩(wěn)定,，但DDR5可能會小幅上漲,，最高可達5%?！比障低赓Y也出具最新報告指出，由于DRAM 價格和出口量成長,，預期第三季半導體出口將季增逾 10%,。繼第二季出貨量強勁成長后，第三季主要內(nèi)存價格已趨穩(wěn)定或上升,，價格較高的 HBM,、DDR5 和 LPDDR5X 組合增加,，平均售價（ASP）可能會成長 5-10%；不過,，除DDR5以外,，8月份內(nèi)存半導體DRAM的固定交易價格仍繼續(xù)下跌。其中,，通用PC DRAM DDR4 8Gb（1Gx8 2133MHz）固定交易價格平均為1.30美元,，與上個月1.34美元的價格相比，下降了2.99%,。日系外資的報告也提到,，需求疲軟的 DDR4領(lǐng)域，第四季可能擴大減產(chǎn),，年底庫存有機會降至正常水平,。NAND現(xiàn)貨價單月漲幅約達5%據(jù)臺媒電子時報報道，近1個月來,，NAND Flash現(xiàn)貨價格持續(xù)小幅調(diào)升,，單月漲幅約達5%，逐漸靠攏合約價,。有消息人士透露,，8月份NAND閃存晶圓現(xiàn)貨價格大幅上漲。雖然6月和7月512GB NAND閃存晶圓價格穩(wěn)定在1.40美元至1.41美元之間,，購買情緒依然低迷,。但價格從7月底、8月初開始上漲,，到8月底達到1.50-1.52美元,。據(jù)TrendForce集邦咨詢了解，主要起因于8月下旬NAND Flash原廠進一步與部分指標模組廠議定新一筆Wafer訂單,，并成功拉抬512Gb wafer合約價,，其他原廠亦跟進將同級產(chǎn)品價格提升，顯現(xiàn)原廠不愿再低價成交,，從而帶動Wafer現(xiàn)貨市場近期出現(xiàn)短期漲勢,。不過在上游供給獲得控制下，近期下游市況需求也有小幅回溫,，主要是美國市場包括PC/手機市場,，并帶動廠商營收。以Nand flash模塊廠商群聯(lián)為例,，下游客戶看好價格已在谷底盤旋以久,，擔心價格上漲，也開始重啟備貨,，也開始接受漲價,，法人估,，群聯(lián)8月營收即會先往上揚，第四季還會再向上,。集邦科技也認為,，Nand flash原廠已凝聚出共識，相繼調(diào)漲wafer報價,，買方預期市場低價貨源將隨之減少,，因此在現(xiàn)貨市場出現(xiàn)囤貨需求。不過,，該機構(gòu)也提醒,，由于相關(guān)采購訂單是基于供應(yīng)端報價調(diào)漲而涌現(xiàn)，是否有實際終端訂單支撐仍待觀察,。

生成式AI技術(shù)基于大量的大型語言模型(LLM)訓練來實現(xiàn)，對算力的需求巨大,。分析師認為,，隨著生成式AI進入快速爆發(fā)期，推動高算力服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施需求提升,，DRAM使用量將大幅增加,，成為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)重要的新成長動能。據(jù)《Barron’s》報導,，在AI熱潮下,，今年以來，AI芯片之王英偉達股價飆漲178%,?；ㄆ旆治鰩烶eter Lee 6月26日發(fā)表研究報告提到，搭載Nvidia DGX100 GPU的AI服務(wù)器,，所用的內(nèi)存數(shù)量,，至少是傳統(tǒng)服務(wù)器的六倍。Lee估計,，以此計算,，2023年AI相關(guān)內(nèi)存將占全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收的16%，2024年激增至31%,，2025年成長至41%,，2027年進一步增至56%。Lee重申給予三星電子,、SK海力士「買進」評級,。美國唯一DRAM廠商美光也可望受益。該公司定于28日盤后發(fā)布財報,，可能反映目前內(nèi)存需求疲軟的狀況,，原因是全球個人計算機銷量急劇下滑，客戶面臨去庫存壓力,，對美光接單造成影響,。華爾街分析師平均預計，2023會計年度第三季(截至2023年5月),，美光營收將年減58%,。不過，如果美光經(jīng)營層透露任何有關(guān)AI需求的好消息,，有望提振股價表現(xiàn),。

摩根士丹利（大摩）證券稱，由于需求疲軟,，將導致下半年存儲器價格更快速下滑,，DRAM、NOR Flash,、NAND Flash等三大存儲器市場情況都無法幸免于難,，其指出南亞、華邦,、旺宏,、力積電、群聯(lián)等臺廠承壓,。大摩最新發(fā)布的報告指出,，由于需求疲軟，加上廠商與客戶端的高庫存水位,，存儲器供應(yīng)鏈正面臨巨大的庫存去化壓力,，造成下半年價格將進一步跌價，且嚴重程度將大于市場預期,。大摩指出,，多頭陣營可能認為，海力士與三星已停止生產(chǎn)1Gb及2Gb存儲器,，并且降低DDR3的生產(chǎn),。不過，由于CMOS影像感測器（CIS）的市場展望趨于疲弱,，三星正在將CIS的產(chǎn)能用來生產(chǎn)DDR3,，使利基型DRAM供給更加惡化。長期來說,，海力士及三星不會放棄消費性DRAM市場,，而是移轉(zhuǎn)到DDR4以放眼4Gb產(chǎn)品,。此外，就各存儲器的價格趨勢來看,，利基型DRAM現(xiàn)貨價預期將大幅下滑,，第3季預估比第2季下跌13%至18%，第4季再比第3季下滑10%至15%,?？萍际姓{(diào)機構(gòu)集邦（TrendForce）認為，消費性DRAM價格修正程度將大于預期,。NAND芯片／固態(tài)硬碟（SSD）價格則更弱,，第3季預期比第2季下跌13%至18%，第4季預期比第3季再跌15%至20%,。大摩指出,，個人電腦及智能手機需求持續(xù)弱勢，終端客戶面臨調(diào)降庫存的壓力,。

據(jù)TrendForce調(diào)查DRAM市況,，韓系原廠在產(chǎn)出不斷增加的壓力下，為刺激供應(yīng)商與客戶拉貨,，讓價意愿明顯提高,，促使價格跌幅持續(xù)擴大。除了韓系廠積極讓價,，來自現(xiàn)貨的低價顆粒亦在市場流通,，其他供應(yīng)商不得不跟進，積極降價求售,，使得第三季consumer DRAM價格跌幅從原先預估的季跌8~13%,，快速擴大至季跌13~18%。展望第四季,，在終端庫存尚未完全去化以前,，拉貨動能難以回溫。TrendForce認為,，供過于求的市況尚未獲得改善以前,，預期consumer DRAM價格將持續(xù)下探，使得第四季consumer DRAM價格持續(xù)走跌,，跌幅約3~8%,，且不排除跌幅將有擴大的可能性。DDR3先前漲多,，后續(xù)補跌空間大,；DDR4在韓系廠策略轉(zhuǎn)進下也將維持下跌走勢。以DDR3而言，去年在韓系廠積極的定價策略之下,，價格處于高水位,；以DDR3 4Gb為例，與過去最低價格相比約有六成的漲幅,。觀察終端的應(yīng)用,，客戶在新案選擇導入DDR4，除了成本的考量外,，臺系廠的DDR3顆粒尺寸也是一重要因素，顆粒放大將壓縮到其他零組件的陳列空間,?；谝陨峡剂浚蛻艮D(zhuǎn)進DDR4的進度比預期樂觀,，因此在DDR3市場規(guī)模明顯收斂的情況下,，展望未來補跌空間大。而DDR4目前的價格雖處于相對低點,，但其制程較DDR3先進,，且三大原廠仍有持續(xù)轉(zhuǎn)進新制程的規(guī)劃，成本將有效收斂,，故預期價格走勢仍將持續(xù)走跌,。原標題《消費性DRAM Q3跌勢擴大、Q4續(xù)下行》

據(jù)TrendForce最新研究顯示,，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價強勢,，并未出現(xiàn)降價求售跡象,，使得庫存壓力逐漸由買方轉(zhuǎn)嫁至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,，部分DRAM供應(yīng)商已開始有較明確的降價意圖,，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的伺服器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3~8%,，擴大至近10%,。若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成,。PC OEM仍處于連續(xù)性下調(diào)出貨展望,，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格誘因，否則沒有急迫購貨需求,。同時,，受惠于1Z/1alpha先進制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，第三季持續(xù)呈現(xiàn)供給季增,，且DDR5因售價高昂導致滲透率受限,，無法有效收斂DDR4產(chǎn)出，PC DRAM第三季價格跌幅將調(diào)整為5~10%,。目前客戶手中的server DRAM庫存約7~8周,，買方借著賣方背負增高的庫存壓力，認為DRAM價格仍有下探空間,，若原廠愿意提供具吸引力報價,，則愿意討論綁量議定的可能性。伴隨先進制程積極轉(zhuǎn)進,，消費終端持續(xù)疲弱下,，server DRAM成了唯一有效的銷售出海口,。因此韓廠率先釋出5%以上季跌幅討論意愿,，使第三季server DRAM跌幅擴大至5~10%。受大環(huán)境經(jīng)濟不振沖擊,，智能手機的生產(chǎn)目標持續(xù)下修,，品牌廠對后勢展望也較悲觀，故備料態(tài)度消極,。但由于各原廠先進制程轉(zhuǎn)進挹注,，第三季mobile DRAM產(chǎn)出仍有增加，供應(yīng)商壓力也因此升高,。此將促使賣方讓價意愿提升,，在供需差異兩極化的情形下，預測本季mobile DRAM價格跌幅擴大至8~13%,。受到通膨降低消費性產(chǎn)品需求及加密貨幣萎靡不振的影響,，弱化graphics DRAM采購需求。同時,，graphics DRAM產(chǎn)能不若標準型DRAM(Commodity DRAM)較容易切換,，雖然需求已弱化，供應(yīng)商卻也難以快速調(diào)整產(chǎn)出,，因此同樣面臨逐漸堆高的庫存壓力,，第三季graphics DRAM價格將修正為季跌3~8%。由于電視出貨已率先下跌,，而通信,、工控等相關(guān)需求也出現(xiàn)走弱跡象,。其中DDR3的價格目前在相對高點，未來價格補跌空間較大,；DDR4相關(guān)應(yīng)用拉貨動能疲弱,，亦不排除跌幅擴大的可能性。除了先進制程轉(zhuǎn)進使得產(chǎn)出擴大,，下半年仍有中國廠新增產(chǎn)能開出,，預估本季消費類 DRAM價格跌幅將加深至8~13%。

滿天芯消息,，自2017年起始，以晉華,、聯(lián)電、美光為主角的“震驚業(yè)界”的福建晉華案有了最新動態(tài),。10月22日一早,，主角之一的晶圓代工大廠聯(lián)電發(fā)出重大信息公告，公告表示,，針對聯(lián)電之前被指控協(xié)助福建晉華以竊取美光科技（Micron）DRAM生產(chǎn)技術(shù)一案,，聯(lián)電已向美國商務(wù)部提出此案的建議量刑信函，根據(jù)雙方磋商,，期待以6000萬美元進行和解,，目前該方案尚待法院核準。對于聯(lián)電的處罰,，業(yè)界曾傳出可能最高可能面臨200億美元的罰金,。如今降低到目前的6000萬美元。對于這個數(shù)字,，行業(yè)人士表示,，根據(jù)過往類似的案件來看，基本上沒有太大的差別,。而且晉華當時并沒有生產(chǎn)該項產(chǎn)品,，也就不存在損害金額的賠償，整個結(jié)果也算是符合業(yè)績的期待,。據(jù)滿天芯向行業(yè)內(nèi)部人士了解,，該案件雙方已基本談妥，只需要法院方面走個過場就行,，可以說已經(jīng)塵埃落定,。福建晉華整體事件回顧：2016年，福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)定，福建晉華委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)技術(shù),，開發(fā)出的技術(shù)成果由雙方共同所有,。 2017年9月，美光指控其前雇員跳槽至聯(lián)電前竊取了美光的DRAM商業(yè)秘密,，并且這些機密已經(jīng)泄露給聯(lián)電用以進行32nm DRAM芯片的開發(fā),。2017年12月，美光又在美國加州聯(lián)邦法院對福建晉華和聯(lián)電提出控訴,，稱聯(lián)電將其被竊取的商業(yè)機密和存儲芯片的關(guān)鍵技術(shù)交付給了福建晉華,。 2018年1月19日，福建晉華展開“反擊”,，在福州市中級人民法院對美光在華銷售產(chǎn)品涉嫌侵權(quán)提出訴狀,。2018年7月3日，福州市中級人民法院裁定美光半導體銷售（上海）有限公司立即停止銷售,、進口十余款Crucical英睿達固態(tài)硬盤,、內(nèi)存條及相關(guān)芯片，并刪除其網(wǎng)站中關(guān)于上述產(chǎn)品的宣傳廣告,、 購買鏈接等信息,，同時裁定美光半導體（西安）有限責任公司立即停止制造、銷售,、進口數(shù)款內(nèi)存產(chǎn)品,。 2018年10月30日，美國商務(wù)部宣布將福建晉華列入出口管制“實體清單”,，自當?shù)貢r間30日起實施出口管制,。 2018年11月1日正式起訴福建晉華、聯(lián)電以及三名中國臺灣籍涉案人員陳正坤,、何建延和王永銘共謀竊取,、傳輸，以及持有美光的營業(yè)秘密和經(jīng)濟間諜罪,。2019年1月底,，聯(lián)電退出福建晉華DRAM項目。 最終,，福建晉華的DRAM項目量產(chǎn)沒能成功,。

兆易創(chuàng)新昨日發(fā)布公告稱,，為優(yōu)化公司資產(chǎn)結(jié)構(gòu),，減少賬面金融資產(chǎn)比重，公司境外全資子公司芯技佳易自2020年2月起陸續(xù)擇機出售所持中芯國際H股股票,。截至目前,，芯技佳易已出售所持全部中芯國際H股股票，總交易金額折合人民幣約7.76億元,。強強聯(lián)合兆易創(chuàng)新對中芯國際的投資始于2017年,，當年兆易創(chuàng)新旗下的全資子公司芯技佳易（香港）向工商銀行和境外分支機構(gòu)尋求了6000萬美元的銀行貸款，期限為3年,。隨后在12月,，芯技佳易以每股10.65港元價格認購中芯國際50,003,371股，總成本約為5.3億港幣（約合4.4億人民幣）,。按照出售時總交易金額7.76億元人民幣計算,，3年間兆易創(chuàng)新大概盈利3.3億人民幣左右。作為國內(nèi)半導體代工龍頭,，兆易創(chuàng)新入股中芯國際的目的是借助后者的代工能力,，擴大自己在NOR市場的份額。成為中芯國際的股東之后,，兆易創(chuàng)新獲得了中芯國際的力挺，全力搶進NOR Flash生產(chǎn),，中芯承諾每月提供兆易創(chuàng)新2.5萬片產(chǎn)能,、占全球NOR供應(yīng)量近三成的規(guī)模，大舉拓展NOR Flash版圖,，當年NOR正處于供不應(yīng)求的階段,，與中芯國際的合作大大增強了兆易創(chuàng)新的實力。2018年兆易創(chuàng)新營收增長108%,，NOR Flash產(chǎn)品,，累計出貨量已經(jīng)超過100億顆，2019年,，根據(jù)CINNO Research產(chǎn)業(yè)研究,，兆易創(chuàng)新NOR Flash全球市場份額在第二季度實現(xiàn)突破，成功超過美光,，上升至全球第四,，并且在第三季度超越賽普拉斯，排名第三,，前二名分別為臺灣的華邦電子和旺宏電子,。在中芯國際加持這三年時間,，兆易創(chuàng)新凈利潤平均年增59%，2019年公司營收32.03億元,，其中儲存芯片營收25.56億元,，占總營收的79.8%，微控制芯片營收4.44億,，占總營收的13.86%,，傳感器營收2.03億，占總營收的6.34%,。天花板NOR Flash雖好,，但市場很小。根據(jù) Bloomberg及WSTS數(shù)據(jù),， 2018 年全球存儲器市場規(guī)模約1600億美元,，占半導體總市場規(guī)模的 34%。其中,，易失性存儲DRAM,、非易失性閃存NAND和Nor Flash分別占63%、35%和 2%,。換言之,，Nor Flash只占整個儲存市場的2%，2018年的市場規(guī)模也僅有32億美元,，市場規(guī)模最大的當屬DRAM與NAND,。市場規(guī)模下，毛利率相對不高,，使得近年來,，不少儲存大廠紛紛退出或者減產(chǎn)NOR Flash業(yè)務(wù)。三星在2010年完全退出Nor Flash市場,，將所有存儲產(chǎn)能集中于市場空間更大的Nand和DRAM存儲器,；Mircon在2016年取消了8英寸生產(chǎn)線，將全部8英寸和部分12英寸線產(chǎn)能轉(zhuǎn)移給Nand,；2017年,，Cypress出售在美國Bloomington的Nor Flash圓晶廠，同時與客戶的Nor Flash協(xié)議價格到期,，Cypress重新提高產(chǎn)品價格,；2019年，旺宏和華邦實際均減產(chǎn)5%~10%,，華邦未達成2017年預定的在2019年達產(chǎn)3萬片/月產(chǎn)能計劃,。作為全球第三的兆易創(chuàng)新自然也感覺到了天花板的壓力，所以近年來兆易創(chuàng)新開始轉(zhuǎn)向DRAM和NAND,。DRAM才是未來在儲存市場,，DRAM無疑占據(jù)最大市場,，規(guī)模達到整個內(nèi)存市場規(guī)模的63%。2016年8月兆易創(chuàng)新上市,，一個月后停牌欲收購北京矽成半導體,，收購價格為65億，北京矽成的產(chǎn)品主要是DRAM和SRAM,，2016年上半年,，北京矽成SRAM產(chǎn)品收入在全球SRAM市場中位居第二位；DRAM產(chǎn)品收入在全球DRAM市場中位居第八位,，與三星、海力士,、美光,、華邦電子等國際廠商同處行業(yè)領(lǐng)先地位，兆易創(chuàng)新收購北京矽成無疑是想切入DRAM賽道,。但是這場交易最終因為供應(yīng)商反對而未能成行,，直到2019年4月，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投,、合肥長鑫簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》,，約定以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式對項目投資3億元，探討在DRAM產(chǎn)品銷售,、代工,、以及工程端的多種合作模式。募資43.24億6月4日晚間,，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票發(fā)行結(jié)果暨股本變動公告,，公布了定增結(jié)果，本次共有42家投資者參與報價,，發(fā)行對象最終確定為5家，包括新加坡政府投資有限公司（GIC）,、葛衛(wèi)東,、畢永生、博時基金,、青島城投科技發(fā)展有限公司,，募資總額約為43.24億。新加坡政府投資有限公司獲配978.5萬股,，獲配金額19.94億元,，成為第九大股東，持股比例2.17%,；葛衛(wèi)東獲配736萬股,，獲配金額15億元,，持股比例將從3.06%提升至4.48%，躍升為兆易創(chuàng)新第五大股東,；畢永生,、博時基金、青島城投科技發(fā)展有限公司分別獲配274.81萬股,、71.16萬股,、61.34萬股，分別獲配金額5.6億元,、1.45億元,、1.25億元。本次募資的用途有兩方面,，一個為10億元補充流動資金,，另一個為33.24億元全部用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，該項目總投資39.92億元,，不足部分由公司以自有資金或其他融資途徑解決,，清倉中芯國際應(yīng)該算兆易創(chuàng)新募資方式之一?？偨Y(jié)最后,，再回到兆易創(chuàng)新減持中芯國際來看，NOR Flash業(yè)務(wù)增長空間有限,，公司的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向DRAM,，結(jié)合近期的募資來看，減持中芯國際套現(xiàn)所得很有可能用在DRAM的投資上,。另一方面,，兆易創(chuàng)新的上游供應(yīng)商除了中芯國際之外，還有武漢新芯,、聯(lián)華電子,、華力微等，并且在2019年兆易創(chuàng)新與臺積電達成戰(zhàn)略合作,，綜合來看兆易創(chuàng)新此次減持是決心DRAM有所建樹,。