有關存儲芯片的漲價聲音還在持續(xù),，傳DRAM、NAND在Q4的合約價預計都將上漲,。
Q4合約價漲定了,？
據MoneyDJ消息,，內存在經過史上最長的庫存調整期后,，近期屬合約市場下游的業(yè)者,，已被原廠通知Q4合約價要調漲,，也讓走合約市場客戶在9月份可以有時間向其下游通知漲價,，這一波漲價由8-9月份現(xiàn)貨市場開始反彈,，走現(xiàn)貨的模塊廠率先反應,，而合約市場則會在Q4陸續(xù)落實漲價,。
DRAM三大原廠,、NAND 五六家原廠經過長達超過五個季度的最長修正期,，陸續(xù)在去年底、今年初開始減產,，但在終端需求不振以及減產需要時間發(fā)酵的情況下,，對內存市況的拉抬一直并不明顯，每每聽聞喊漲,，但都難成氣候,。
不過,，現(xiàn)貨市場終于在8月起開始反應。更特別的是,，市場原先認為,，DRAM的原廠少，應該較有機會率先反彈,，而Nand flash原廠較多,，再加上消費性電子需求不振，應該會是較晚復蘇,。但這次反而是NAND在8月率先上漲,，預料Q4合約價亦是NAND漲幅勝于DRAM。
目前依原廠發(fā)出的通知,，依不同產品,，NAND flash Q4的合約價有機會漲1-2成、DRAM則約漲1成,，幾乎都有雙位數的漲幅,。
集微網的報道進一步提到，雖然DRAM價格受限于終端市場需求尚未出現(xiàn)明顯復蘇,，漲幅可能不會太大,，但高價位的DDR5產品或將面臨供應短缺，領漲DRAM市場,。
業(yè)界怎么看,？
業(yè)界人士評估，此波原廠漲價的立場堅定明確,，有可能是因為手上已握有大廠大單,，產能已有特定訂單可消耗，看準供需有機會出現(xiàn)缺口,，底氣足,，也就一口氣喊定了要漲價，也可望終結這一波內存的量縮價跌走勢,。
此外,，華為Mate 60 Pro和iPhone 15的發(fā)布也成功點燃了全球消費性電子市場，也成為拉動價格上漲的底氣,。
據問芯Voice報道,，伴著華為和蘋果新機的發(fā)布，各種零部件都開始重溫久違的拉貨,、補貨,、備貨，冷清的全球消費性電子市場頓時生機再現(xiàn)。各家存儲大廠一路經歷跌價,、虧損,、減產、漲價四部曲,，現(xiàn)在正式進入“漲價”階段,，三星、SK海力士,、美光等都已經率先表態(tài)要漲NAND Flash合約價,。當前存儲廠的想法是，不管真假缺貨潮,，年底前的目標就是要漲價，漲到不賠錢為止,。
價格走勢基本止跌
在漲價消息陸續(xù)放出前,，價格走勢已基本穩(wěn)定。DRAM方面,，近期報價止穩(wěn),，繼DDR5價格第三季止跌回升后，DDR4及DDR3現(xiàn)貨價最新報價也多呈現(xiàn)翻揚,。在供應商不愿再降價下,，DDR4 1G＊8顆粒現(xiàn)貨價持續(xù)上漲,，近兩周累積漲幅超過一成,。國際大廠9月起DDR3 4G、DDR4 8G,、DDR5 16G價格均有回升,。
NAND方面，據閃存市場消息,，9月備貨需求旺盛,，存儲現(xiàn)貨行情穩(wěn)步上揚。隨著原廠減產生效,，上游資源端放緩出貨節(jié)奏,，加上本月備貨需求旺盛，存儲現(xiàn)貨市場供需狀況加速好轉,，供應端普遍惜售低價庫存,，推動成品端價格跟隨成本穩(wěn)步上揚。而臨近Q4,，市場預期持續(xù)升溫,，三季度末部分NAND wafer供應也按下暫停鍵，現(xiàn)貨市場NAND資源供應愈加趨緊,。據CFM閃存市場數據顯示,，本周最新1Tb/512Gb NAND Flash wafer價格分別上調至3.45/1.72美元,，DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT價格分別上調至2.43/2.17美元。
