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臺積電或在日本再蓋一座工廠?大手筆投資兩半導體企業(yè),!

來源:滿天芯 發(fā)布時間:2023-09-14 13:41

據(jù)路透報導,,有消息人士透露,臺積電對在日本九州島建立晶圓制造中心充滿信心,,可望如期于2024年開始生產成熟制程的芯片,。并且,臺積電正考慮增加產能并在日本建造第二座晶圓廠,,生產更先進的芯片,。而在美國亞利桑那州,,臺積電計劃在當?shù)厣a先進芯片,,但因缺乏專業(yè)工人,不得不將投產的時程延后一年至2025年,。

對于該報道,,臺積電13日回應,強調臺積亞利桑那州晶圓廠,、在熊本興建中的晶圓廠,,以及將在德國建造的晶圓廠三者在廠區(qū)地理位置、建置規(guī)劃和規(guī)模均不一樣,,就本質而言無法相比,。

臺積電強調,臺積拓展全球制造版圖是基于客戶需求、市場商機,、營運效率,、和成本經濟等多方面之考慮,目前臺積電投資的地區(qū)都是為支持客戶需求,,并應對半導體技術長期需求的結構性成長,。

日本經濟產業(yè)省相關人士表示:「在我們看來,臺積電對在日本投資相當樂觀,。我們非常歡迎增設第二座晶圓廠的計劃,,但需要先了解詳情?!菇洰a省已提供臺積電第一座晶圓廠高達4,760億日元(32.3億美元)補貼,。

除了建廠傳言以外,臺積電近期的兩筆投資也頗受關注,。

一筆是以不超過4.328億美元(約新臺幣138.5億元)額度內,,從英特爾手中取得奧地利半導體設備商IMS的10%股權。第二筆是以不超過1億美元(約新臺幣31.95億元)的額度,,認購日本軟銀集團旗下的半導體IP大廠Arm 的普通股股票,。

分析師郭明錤指出,臺積電這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力,,以確保從目前3nm的FinFET技術能順利轉換到2nm的GAA技術,。其中,投資IMS可確保關鍵設備的技術開發(fā)與供應能滿足2nm商用化的需求,。

IMS Nanofabrication于1985年在維也納成立,,是一家多電子束直寫光刻設備廠商,產品主要應用于先進工藝節(jié)點光刻掩模制造,。在芯片制造的過程中,,IMS提供的多光束掩模寫入機也尤為重要。簡單來說,,如果沒有IMS Nanofabrication的掩模寫入器,,所有EUV工藝技術都將陷入停頓。EUV工藝技術被用于7nm以來的所有臺積電,、英特爾的工藝節(jié)點,。另外,三星的所有邏輯工藝技術都使用了EUV,。

而對于臺積電入股ARM,,分析郭明錤認為,臺積電可通過投資Arm,,與后者進行更緊密的合作,,有助于在臺積電的先進制程與封裝技術上針對 Arm IP 進行優(yōu)化,。

臺積電董事長劉德音就曾說:“Arm是我們生態(tài)系統(tǒng)、技術和客戶生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分,。我們希望它取得成功,,并保持健康?!?/span>

此外,,最快在 2026 年,2納米技術將分別用于蘋果iPhone處理器和英偉達B100 AI芯片的生產上,。蘋果和英偉達也都是Arm本次IPO的基石投資者,。故臺積電投資Arm有利強化與蘋果、英偉達的合作并爭取 2nm 訂單,。



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