據(jù)外媒報(bào)道,，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子日前宣布,，將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅(SiC)來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,。計(jì)劃在目前生產(chǎn)硅基功率半導(dǎo)體的群馬縣高崎工廠進(jìn)行量產(chǎn),，但具體投資金額和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定,。
報(bào)道稱,，碳化硅比傳統(tǒng)的硅具有更好的耐熱性和耐壓性,。使用SiC的功率半導(dǎo)體極少功率損耗,，如果用于電動(dòng)汽車，可以延長(zhǎng)續(xù)航里程,。除電動(dòng)汽車外,，蓄電池等可再生能源領(lǐng)域的應(yīng)用也有望擴(kuò)大。
意法半導(dǎo)體,、英飛凌,、三菱電機(jī)等企業(yè)都在布局碳化硅半導(dǎo)體，瑞薩電子起步較晚,，但CEO柴田英利在新聞發(fā)布會(huì)上表示,，“傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體上我們是后來(lái)者，但現(xiàn)在因高效率而備受推崇,，SiC也可以做到,。”
瑞薩現(xiàn)行采取的生產(chǎn)策略是運(yùn)算用先進(jìn)邏輯芯片等產(chǎn)品委由晶圓代工廠生產(chǎn),、而易于活用自家技術(shù)的功率半導(dǎo)體則靠自家工廠生產(chǎn),。而除了SiC外，瑞薩也將對(duì)現(xiàn)行EV采用的硅制IGBT等功率半導(dǎo)體進(jìn)行積極投資，于2014年關(guān)閉的甲府工廠預(yù)計(jì)將在2024年上半年重新啟用,、將生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體,。
柴田英利自信的表示，「客戶對(duì)瑞薩IGBT的評(píng)價(jià)非常高,、會(huì)將這些評(píng)價(jià)活用至SiC事業(yè)上?，F(xiàn)在SiC市場(chǎng)仍小、但將來(lái)毫無(wú)疑問的會(huì)變得非常大,?？蛻魧?duì)瑞薩SiC產(chǎn)品的詢問、即便是(尚未生產(chǎn)的)現(xiàn)在,、也非常強(qiáng)勁,，2025年開始生產(chǎn)的話、事業(yè)將可順?biāo)爝M(jìn)行」,。
和硅制功率半導(dǎo)體相比,、SiC功率半導(dǎo)體擁有更優(yōu)異的耐熱/耐壓性，電力耗損少,，搭載于EV能提高續(xù)航距離,，而除了EV外、來(lái)自蓄電池等再生能源領(lǐng)域的需求也看漲,。
